新华网南京5月21日电（记者潘晔）21日，南京理工大学与苏州源拓真空技术有限公司在南京签署协议，共建“薄膜沉积颠覆性技术研发中心”。该中心将聚焦高端半导体装备核心环节，联合攻关长期被海外垄断的先进制程薄膜沉积技术，旨在推动该关键装备的自主可控。

　　半导体薄膜沉积设备是芯片制造的三大核心设备之一，其技术长期被国外企业主导。研发中心的成立，旨在整合高校前沿科研能力与企业的工程化及市场能力，共同突破这一“卡脖子”环节。

　　“向更先进制程迈进，需要基础研究的持续支撑。”源拓真空公司董事长叶育州表示，企业已在相关设备验证上取得突破，此次合作是冲击尖端市场的关键一步。南京理工大学相关负责人表示，学校将依托在电子信息、集成电路等领域的学科优势，派出团队开展联合技术攻关与人才培养，加速创新链与产业链的融合。

　　据悉，双方将围绕核心技术攻坚、省级实验室建设、专利成果转化等方向开展工作，力争将中心建设成为校企深度融合的示范平台，为我国半导体产业高质量发展提供装备与技术支撑。（完）